“但离子源的结构非常复杂，制作成本很高。”
“除此之外，相对比硅基芯片，使用铝离子注入碳化硅进行制造形成n-漂移层还有一个很大的问题。”
“那就是碳化硅晶体的原子密度比硅大，要达到相同的注入深度，离子注入工艺需要离子具有更高的注入能量。”
“哪怕是有专业的注入仪器，需要的电压强度一般也要达到350kev，高的甚至要求700kev以上。”
“而且还需要达到一千两百度以上的高温。”
“否则注入深度无法达到要求，无法形成稳定可用的n-漂移层。”
“更关键是，相比较单纯的硅晶体，碳化硅晶体里面掺入了碳原子。”
“而铝离子在通过强能量注入晶体中是还会破坏碳原子的分子键，从而导致成品出现瑕疵。”
“离子注入制造碳化硅芯片的工艺太难，成本太高，这也是碳化硅晶体比单硅晶体更优秀却没有得到广泛应用到集成芯片上的原因之一。”
“当然，大家如果对‘离子注入’这个名字很陌生的话，那换个名字，你们应该就很熟悉了。”
他这样一说，直播间里面的观众顿时好奇了起来，纷纷询问是什么。
看着弹幕，韩元笑了笑，接着道：
“粒子加速器！”
闻言，直播间里面顿时就热闹了起来。
【粒子加速器！】
【好家伙，主播要造这个吗？】
【粒子加速器和粒子碰撞机还是有区别，后者更浪费钱。】
【那个老牛吃嫩草，晚年回国养老的垃圾阻止我们国家建的那个？】
【？？？？？楼上对杨老放尊重点。】
【哪来的臭傻逼？杨老在物理学整个历史里都是能排前五的人，成就不亚于我们常提的任何著名物理学家。】
【讲实话，我也觉得杨老反对的对，有那个钱浪费到这上面，用来研究操作系统、芯片什么不好吗？】
【同支持，几百亿在教育上比建什么对撞机强多了，起码能让网上的睿智少一半，比如之前那个傻逼。】
【我要是他妈，绝对塞回去重生一次，我要是他爸，当年就射墙上了！】
看到弹幕，韩元摇了摇头，没再说话，接着照顾自己正在通电的铝离子溶液。
其实铝离子源的制造和离子注入这两种技术就已经涉及到了集成芯片的核心制造了。
只是这点他没有讲明而已，但自己直播间中的一些科研人员肯定是知道的。
因为之前他看到了一些弹幕直接指明他使用的是离子掺杂，而且还询问了这种方式是否能稳定的构建n-漂移层，甚至是具体能注入到多少毫米这种。
而这种问题，明显不是普通观众能问出来的。
他制造的这种介于原始晶体管和集成芯片之间的晶体管虽然和现代化的芯片一样需要进行侵蚀镀刻出来一个n-漂移层和p阱。
虽然有些步骤一样，但其中的区别很大的。
(本章完)