第186章 n-漂移层
高能离子注入这是对现代化集成芯片的要求。
对于他来说，目前只要能将铝离子注入到碳化硅晶体中形成一个过渡层就足够了。
而且他用的技术也并非纯正的离子注入，正如之前有弹幕说的。
他使用的是离子掺杂，而且是离子掺杂中的‘渗透掺杂法’。
因为他手中并没有离子注入机这种高科技东西，但这种晶体管又离不开n-漂移层。
所以他只能想办法进行替代。
离子掺杂就是他想到的办法。
这是一种合金工艺上的技术。
通过对应的化学药剂来将一种金属镀在另外一种金属表面。
最早其实出现在合金的冶炼上，后面被广泛的应用到陶瓷、玻璃、复合物、聚合物等材料上。
不过相比较现代化的离子掺杂技术，韩元对此做出了一些改进。
比如玻璃容器中导电，在原本的离子掺杂中是没有这一个步骤的。
玻璃容器中，以稀硫酸和稀硝酸作为基底的溶液形成了电解液，溶液中的铝离子通过加热，通电，可以在碳化硅晶体上形成薄而相对均匀的掺杂层。
掺杂出来的n-漂移层也能起到足够的作用，不过需要进行多次重复处理。
尽管掺杂法需要多次电解掺杂和淬火，而且在均匀性和深度上远远无法和离子注入相比。
但对于目前的他来说，这是最合适，也是最简单的办法了。
随着酒精灯的不断加热，溶液中的水分被不断的蒸发掉，容器中的铝离子溶液也逐渐开始变得粘稠。
等到溶液已经无法覆盖碳化硅晶体基底的时候，韩元断掉了电源，将玻璃容器中的碳化硅晶材取出来，又倒掉已经被电解过的铝离子溶液。
碳化硅晶材清洗干净，然后吹干，重新刷上一层石蜡镀层，再次进行掺杂注入。
按照标准流程，以他制造出来的铝离子溶液的浓度需要进行重复六次的掺杂注入才能在碳化硅晶体底层形成一层可用的n-漂移层。
所以他还需要再重复五次掺杂注入，耗时最少要五个小时以上。
一下午，韩元就守在了化学实验室中，不断的重复着铝离子掺杂的过程。
当然，大部分的普通人对于这种事情看一遍看个新鲜也就差不多了。
不过直播间里面蹲守的那些科学家感兴趣的，其实也正是这个。
尽管离子掺杂技术在目前已经很成熟了，但韩元改进的‘电-热离子渗透法’却是一种全新的方式。
而且似乎还是一种可以应用到芯片基座上注入离子层的方式。
和韩元手中没有关键性的仪器不同，有实力复核他的实验的国家和实验室手中基本都有相应的实验仪器和鉴定仪器。
更关键的是，他们还拥有足够的人手。
可以一边完全按照直播进行复刻实验，另一边则将阶段性的成果拿到专业的检验仪器上进行鉴定成果。
华国，京城，一间实验室大门被人匆忙推开，一个青年手中拿着一叠a4纸张匆忙的闯了进来。
都来不及喘息，青年就扬起了手中的资料大声喊道。
“组长，碳化硅晶材铝离子的渗透检测.结果出来了，这结果.结果太不可思议了。”
从呼吸的急促就可以判断出来，这个青年是一路跑过来的。
灯光明亮的实验室中，听到声音后，另一名正在按照直播进行再次掺杂铝离子的中年男子迅速起身走过去，从青年手中接过资料翻阅了起来。
“一次渗透率为1.01325x10-15md。”