什么事情，竟然要和自己平级的丘领导亲自过来？
他连忙站起身，出去相迎。刚刚走到门口，就听见了一阵爽朗的笑声。
何白衣笑着看着大踏步走来的丘领导，好奇道：“什么风竟然把老丘你给吹来了？”
“哈哈，急什么，我赶过来连口茶水都不让喝不成？”丘领导笑道。
何白衣摇头失笑，连忙招呼丘领导进去，然后让秘书去泡茶。
等到喝了一口茶，丘领导才开口道：“最近不是搞大学生生产建设活动吗，你们的名单都安排好了吗？”
一般来说，参加生产建设活动的大学生，学农的去乡下种地，学工程的去修路修桥，学机械的去炼钢造机器。
既能充分发挥学生的知识，又能顺带给工人们做老师，一举两得。
但也不是没有意外，比如……被分去挖水库的。
何白衣听到丘领导的问题，有些奇怪道：“怎么，这种事你也来过来了？”
丘领导道：“别的我当然不会过问，但是关于这个李暮的分配……”
听到这里，何白衣终于恍然大悟。
感情一机部那边，也想要李暮过去啊！
……
李暮这边，拒绝了王教授之后，就回到教室。
班上的导员特地过来，给他们介绍了一下这学期生产建设活动的情况。
时间在一周后，具体每个人去哪里，还要等分配。
分配这个就有点坑，虽然李暮不排斥去挖水库、修大桥，但要是被分配到很远的地方，难免有些麻烦。
“也不知道王教授那边有没有办法，能不能别把我分配到近一点的地方。”李暮想道。
“算了，不管远近，就当是换了个锻炼身体的方法罢了！”摇了摇头，李暮不再纠结此事。
他打开集成电路计算机的资料，继续开始学习。
cpu的部分，他已经看得差不多了，不过想要做出来，还是很困难。
超大规模集成电路的硬性要求，注定集成电路计算机的问世还需要很长一段时间。
……
下午，放学后。
李暮去食堂吃完饭，便推着自行车离开学校，准备去趟半导体研究所。
在门口恰好遇见了王娅。
“好巧啊。”他打了个招呼。
王娅回过头，看见是他，紧绷的小脸微微露出些许笑容。
“说起来，你每天都去半导体研究所吧，我们竟然今天才遇见。”李暮笑道。
王娅想了想，道：“你每天在学校吃完饭才去，我是去半导体研究所那边吃，当然遇不到。”
j语言的学习，加上d弹弹道轨迹的研究，让她每天像个上满发条的钟表一样，一刻也停不下来。
她也不想停下来。
李暮微微汗颜，刚想开口解释，王娅就善解人意道：“我知道的，你每天饿得那么快，肯定等不到去那边吃。”
“咳咳，确实是这样。”李暮轻咳了两声，转而问道：“你d弹弹道计算的研究，进度怎么样？”
听到他的询问，王娅的脸蛋微微红了红。
她微微低下头，道：“没什么大的进展。”
在半导体研究所待久了，她太清楚李暮的研究速度了。
那些能难倒一众研究员和专家教授的问题，到了李暮的手中，总是能很快地解决。
比其他，自己的研究速度就像乌龟爬一样。
“没事，你只有一个人，慢一点也正常。”李暮笑了笑，“要是不介意，和我说说？”
初级d弹弹道计算，虽然不算什么高精尖的研究课题，但对国防工业来说，同样是不可或缺的。
王娅没有扭扭捏捏地不好意思，直接道：
“在数学模型方面，遇到了一些困难，要建立一个能对实际弹道阐述进行估计，确保计算实时性和精确性的模型，我现在还做不到。”
机械工程虽然也需要学习数学，但和真正数学系的学生比起来，还是有相当大的差距的。
更何况，这事儿别说数学系的学生，就是数学系的老师也未必能办成。
李暮在脑子里翻了番d弹弹道计算的资料，找到关于数学模型的部分，然后道：
“匈鸭梨有个数学家发明了一个卡尔曼滤波器，能够从一系列不完整权包含噪声的测量中，估计动态系统的状态。”
“我把他的算法给你，你拿去研究研究。”
李暮一边说，一边从挎包里掏出纸，把卡尔曼滤波器的公式写下来。
不过在写到非线性的部分，他的笔顿了顿。
卡尔曼60年发明的卡尔曼滤波器，但只适用于线性系统，后面的非线性系统是后来完善的。
不过给都给了，总不能只给一半。
最后，李暮还是把完整的扩展卡尔曼滤波器写了出来。
看着密密麻麻的公式，王娅的黑白分明的眼睛不禁瞪得滚圆，忍不住问道：
“你什么时候对数学也这么精通了？”
“什么精通。”李暮笑了笑，道：“是之前去五道口技术学院的时候，去了趟他们的图书馆，偶然看到的而已。”
担心王娅以为他数学很厉害，李暮又补了句：“这些公式，也是当时记下来的，其实我并没有理解多少。”
“你要是想研究的话，需要自己多下一些功夫。”
数学是个深不见底天坑，他可不想跳进去。
……
来到半导体研究所。
和王娅道别，李暮先前往黄新华所在的cmos研究小组。
面对这个相当超前的工艺，黄新华显然也有些棘手，坐在实验室的一角，表情十分凝重。
李暮打了声招呼，他才回过神，连忙走过来道：
“你来看看，这个有源区的形成问题，sin和si之间的应力很大，必然会对后者产生表面损伤。”
李暮接过黄新华递过来的实验报告，发现这个问题不用资料，他自己就能解决，于是微微思索片刻，道：
“其实只要在sin和si之间生长一层sio作为应力缓冲层就可以解决，不过它的厚度会影响sin作为氧化掩蔽层的能力，因此要厚度需要控制在0.6um。”
黄新华继续道：“还有这个晶体管之间的泄露电路问题，它们相互干扰，引起直流工号增加，甚至会改变器件的逻辑电路。”
“我们可以采用氮化硅为淹没，尝试去实现硅的选择氧化，形成有源晶体管区域的同时，还能在其它的所有重掺杂硅区均生长一层厚的氧化层。”李暮答道。
“好方法，你再看看这个……”
……
实验室内，cmos研究小组的研究成员看着李暮为黄新华解答问题，除了手头实在放不开的，纷纷过来听讲。
(本章完)